Սիլիցիումի կարբիդային կերամիկայի չորս սինթրման գործընթացներ

Սիլիցիումի կարբիդային կերամիկան ունի բարձր ջերմաստիճանի ուժ, բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն, լավ մաշվածության դիմադրություն, լավ ջերմային կայունություն, ջերմային ընդարձակման փոքր գործակից, բարձր ջերմային հաղորդունակություն, բարձր կարծրություն, ջերմային ցնցումների դիմադրություն, քիմիական կոռոզիոն դիմադրություն և այլ հիանալի հատկություններ:Այն լայնորեն օգտագործվել է ավտոմոբիլային, մեքենայացման, շրջակա միջավայրի պաշտպանության, օդատիեզերական տեխնոլոգիաների, տեղեկատվական էլեկտրոնիկայի, էներգետիկայի և այլ ոլորտներում և դարձել է անփոխարինելի կառուցվածքային կերամիկա՝ գերազանց կատարողականությամբ բազմաթիվ արդյունաբերական ոլորտներում:Հիմա թույլ տվեք ցույց տալ ձեզ!

Անճնշումային սինթրինգ

Առանց ճնշման սինթրինգը համարվում է SiC սինթինգի ամենահեռանկարային մեթոդը:Ըստ տարբեր մեխանիզմների, առանց ճնշման սինտրինգը կարելի է բաժանել պինդ փուլային և հեղուկ ֆազային սինթրինգի:Ուլտրա նուրբ β-ի միջոցով B-ի և C-ի պատշաճ քանակությունը (թթվածնի պարունակությունը 2%-ից պակաս) միաժամանակ ավելացվել է SiC փոշին, և s.proehazka-ն սինթրեվել է SiC սինթրեված մարմնին, որի խտությունը 98%-ից բարձր է 2020 ℃:A. Mulla et al.Al2O3-ը և Y2O3-ը օգտագործվել են որպես հավելումներ և սինդրոմ են 1850-1950 ℃ ջերմաստիճանում 0,5 μm β-SiC-ի համար (մասնիկների մակերեսը պարունակում է փոքր քանակությամբ SiO2):Ստացված SiC կերամիկայի հարաբերական խտությունը տեսական խտության 95%-ից մեծ է, իսկ հատիկի չափը փոքր է և միջին չափը։Այն 1,5 միկրոն է։

Տաք մամլիչով սինթրում

Մաքուր SiC-ը կարող է կոմպակտ կերպով եռակցվել միայն շատ բարձր ջերմաստիճանում՝ առանց որևէ սինթրման հավելումների, ուստի շատ մարդիկ իրականացնում են SiC-ի տաք սեղմման գործընթացը:Բազմաթիվ հաղորդումներ են եղել SiC-ի տաք սեղմման սինթրման մասին՝ ավելացնելով սինտերման օժանդակ միջոցներ:Ալյեգրոն և այլք:Ուսումնասիրել է բորի, ալյումինի, նիկելի, երկաթի, քրոմի և այլ մետաղական հավելումների ազդեցությունը SiC խտացման վրա։Արդյունքները ցույց են տալիս, որ ալյումինը և երկաթը ամենաարդյունավետ հավելումներն են, որոնք նպաստում են SiC տաք սեղմման սինթրմանը:FFlange-ն ուսումնասիրել է տարբեր քանակությամբ Al2O3-ի ավելացման ազդեցությունը տաք սեղմված SiC-ի հատկությունների վրա:Համարվում է, որ տաք սեղմված SiC-ի խտացումը կապված է տարրալուծման և տեղումների մեխանիզմի հետ։Այնուամենայնիվ, տաք մամլման սինթերման գործընթացը կարող է արտադրել միայն պարզ ձևով SiC մասեր:Տաք մամլման միանվագ սինթրման գործընթացով արտադրվող արտադրանքի քանակը շատ փոքր է, ինչը չի նպաստում արդյունաբերական արտադրությանը։

Տաք իզոստատիկ մամլման սինթրինգ

Ավանդական սինթրման գործընթացի թերությունները հաղթահարելու համար որպես հավելումներ օգտագործվել են B և C տիպերը և ընդունվել տաք իզոստատիկ մամլման տեխնոլոգիա:1900 ° C-ում ստացվել է 98-ից ավելի խտությամբ նուրբ բյուրեղային կերամիկա, և սենյակային ջերմաստիճանում ճկման ուժը կարող է հասնել 600 ՄՊա:Թեև տաք իզոստատիկ մամլումը կարող է արտադրել խիտ ֆազային արտադրանք՝ բարդ ձևերով և լավ մեխանիկական հատկություններով, սինթրինգը պետք է կնքված լինի, ինչը դժվար է հասնել արդյունաբերական արտադրության:

Ռեակցիա սինթրինգ

Սիլիցիումի կարբիդը, որը նաև հայտնի է որպես ինքնուրույն կապակցված սիլիցիումի կարբիդ, վերաբերում է գործընթացին, որի ընթացքում ծակոտկեն բլիթը արձագանքում է գազի կամ հեղուկ փուլի հետ՝ բարելավելու բիլետի որակը, նվազեցնելու ծակոտկենությունը և պատրաստի արտադրանքը որոշակի ամրությամբ և չափերի ճշգրտությամբ:վերցնել α- SiC փոշին և գրաֆիտը խառնվում են որոշակի հարաբերակցությամբ և տաքացվում են մինչև մոտ 1650 ℃՝ ձևավորելով քառակուսի բլիթ:Միևնույն ժամանակ, այն գազային Si-ի միջոցով ներթափանցում կամ ներթափանցում է բիլետի մեջ և արձագանքում գրաֆիտին՝ առաջացնելով β-SiC՝ համակցված առկա α- SiC մասնիկների հետ։Երբ Si-ն ամբողջությամբ ներծծվում է, կարող է ստացվել ռեակցիոն սինթրած մարմին՝ ամբողջական խտությամբ և ոչ կծկվող չափով:Համեմատած այլ սինթրման պրոցեսների հետ, խտացման գործընթացում ռեակցիայի սինթրման չափի փոփոխությունը փոքր է, և ճշգրիտ չափսերով արտադրանքները կարող են պատրաստվել:Այնուամենայնիվ, մեծ քանակությամբ SiC-ի առկայությունը սինթրած մարմնում վատթարացնում է ռեակցիայի մեջ սինթրեված SiC կերամիկայի բարձր ջերմաստիճանային հատկությունները: